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Infineon Technologies IDH10SG60C
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDH10SG60C |
| Código da Peça EBEE | E8535874 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 1.8V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.3404 | $ 3.3404 |
| 10+ | $3.1628 | $ 31.6280 |
| 50+ | $3.0578 | $ 152.8900 |
| 100+ | $2.9512 | $ 295.1200 |
| 500+ | $2.9034 | $ 1451.7000 |
| 1000+ | $2.8802 | $ 2880.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDH10SG60C | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 800nA@600V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 410A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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