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Infineon Technologies IDH10G65C6
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDH10G65C6 |
| Código da Peça EBEE | E8535873 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 1.25V@10A Independent Type 24A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
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| 50+ | $1.8616 | $ 93.0800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDH10G65C6 | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 1uA@420V | |
| Configuração do diodo | Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@10A | |
| Current - Rectified | 24A |
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