| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDH04SG60C |
| Código da Peça EBEE | E85361092 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDH04SG60C | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 25uA@600V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.3V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 120A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
