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Infineon Technologies IDH03SG60C
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDH03SG60C |
| Código da Peça EBEE | E8535855 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 2.1V@3A 3A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9316 | $ 4.9316 |
| 10+ | $4.2483 | $ 42.4830 |
| 30+ | $3.8406 | $ 115.2180 |
| 100+ | $3.4296 | $ 342.9600 |
| 500+ | $3.2405 | $ 1620.2500 |
| 1000+ | $3.1540 | $ 3154.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDH03SG60C | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 230nA@600V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@3A | |
| Current - Rectified | 3A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 11.5A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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