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Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IDD10SG60CXTMA2 |
| Código da Peça EBEE | E85772385 |
| Pacote | TO-252-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 2.1V@10A 10A TO-252-3 SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA2 | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 90uA@600V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
