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HXY MOSFET SI2318
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI2318 |
| Código da Peça EBEE | E85337198 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 40V 5A 38mΩ@10V 2V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0518 | $ 0.5180 |
| 100+ | $0.0429 | $ 4.2900 |
| 300+ | $0.0384 | $ 11.5200 |
| 3000+ | $0.0313 | $ 93.9000 |
| 6000+ | $0.0286 | $ 171.6000 |
| 9000+ | $0.0273 | $ 245.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET SI2318 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 52mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.8nC@20V |
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