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HXY MOSFET HC4D20120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC4D20120D |
| Código da Peça EBEE | E819723888 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 1.2kV 1 pair of common cathodes 1.5V@10A TO-247-3L SiC Diodes ROHS |
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| 30+ | $1.9817 | $ 59.4510 |
| 90+ | $1.7572 | $ 158.1480 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC4D20120D | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 250uA@1200V | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 34A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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