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HXY MOSFET HC3D10065E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3D10065E |
| Código da Peça EBEE | E822449557 |
| Pacote | TO-252-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V Independent Type 1.3V@10A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2467 | $ 2.2467 |
| 10+ | $1.9100 | $ 19.1000 |
| 30+ | $1.6990 | $ 50.9700 |
| 100+ | $1.4824 | $ 148.2400 |
| 500+ | $1.3860 | $ 693.0000 |
| 1000+ | $1.3427 | $ 1342.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3D10065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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