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HXY MOSFET HC3D05120E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3D05120E |
| Código da Peça EBEE | E822449567 |
| Pacote | TO-252-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 1200V Independent Type 1.4V@5A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3409 | $ 2.3409 |
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| 30+ | $1.7553 | $ 52.6590 |
| 100+ | $1.5252 | $ 152.5200 |
| 500+ | $1.4207 | $ 710.3500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3D05120E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@1200V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@5A | |
| Current - Rectified | 18A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 45A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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