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HXY MOSFET HC1D08065F
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC1D08065F |
| Código da Peça EBEE | E841428794 |
| Pacote | TO-220F-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-220F-2L SiC Diodes ROHS |
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7077 | $ 1.7077 |
| 10+ | $1.4462 | $ 14.4620 |
| 50+ | $1.2812 | $ 64.0600 |
| 100+ | $1.1131 | $ 111.3100 |
| 500+ | $1.0368 | $ 518.4000 |
| 1000+ | $1.0041 | $ 1004.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC1D08065F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Current - Rectified | 19A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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