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HXY MOSFET HC1D06065N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC1D06065N |
| Código da Peça EBEE | E841428799 |
| Pacote | QPFN-8(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
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6 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8451 | $ 0.8451 |
| 10+ | $0.6824 | $ 6.8240 |
| 30+ | $0.6010 | $ 18.0300 |
| 100+ | $0.5212 | $ 52.1200 |
| 500+ | $0.4617 | $ 230.8500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC1D06065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@6A | |
| Current - Rectified | 23A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 48A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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