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HUASHUO HSBG2103
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HSBG2103 |
| Código da Peça EBEE | E8845598 |
| Pacote | DFN1006-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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6752 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 20V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 650mA | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 150mW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1V@250uA |
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