| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HSBG2024 |
| Código da Peça EBEE | E8508789 |
| Pacote | X1-DFN1006-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 1.4A 230mΩ@4.5V,550mA 700mW 1V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HUASHUO HSBG2024 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 20V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 1.4A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 230mΩ@4.5V,550mA | |
| Dissipação de potência (Pd) | 700mW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1V@250uA |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
