| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HSBA15810C |
| Código da Peça EBEE | E8845605 |
| Pacote | PQFN-8(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | 100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HUASHUO HSBA15810C | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 100V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 100A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 208W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
