| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HB3510P |
| Código da Peça EBEE | E8271448 |
| Pacote | TO-263 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | HL(Haolin Elec) HB3510P | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 100V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 50A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 38mΩ@10V,15A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 110W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 275pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1489pF | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
