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HARRIS HGT1S7N60B3D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HGT1S7N60B3D |
| Código da Peça EBEE | E83191162 |
| Pacote | I2PAK(TO-262) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60W 14A 600V I2PAK(TO-262) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5560 | $ 3.5560 |
| 200+ | $1.3770 | $ 275.4000 |
| 500+ | $1.3291 | $ 664.5500 |
| 1000+ | $1.3042 | $ 1304.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Folha de Dados | HARRIS HGT1S7N60B3D | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 14A | |
| Power Dissipation (Pd) | 60W | |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 130ns | |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 26ns | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,7A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 30nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 21ns | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.12mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.16mJ |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5560 | $ 3.5560 |
| 200+ | $1.3770 | $ 275.4000 |
| 500+ | $1.3291 | $ 664.5500 |
| 1000+ | $1.3042 | $ 1304.2000 |
