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Hangzhou Silan Microelectronics SVT085R5NT
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SVT085R5NT |
| Código da Peça EBEE | E82897720 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 85V 120A 160W 4.5mΩ@10V,50A 2V@250uA TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5890 | $ 0.5890 |
| 10+ | $0.5262 | $ 5.2620 |
| 50+ | $0.4524 | $ 22.6200 |
| 100+ | $0.4225 | $ 42.2500 |
| 500+ | $0.4037 | $ 201.8500 |
| 1000+ | $0.3943 | $ 394.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Hangzhou Silan Microelectronics SVT085R5NT | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 4.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.281nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 669pF | |
| Gate Charge(Qg) | 68nC@10V |
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