| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SVF7N65CDTR |
| Código da Peça EBEE | E82930957 |
| Pacote | TO-252-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3584 | $ 1.7920 |
| 50+ | $0.2877 | $ 14.3850 |
| 150+ | $0.2573 | $ 38.5950 |
| 500+ | $0.2138 | $ 106.9000 |
| 2500+ | $0.1970 | $ 492.5000 |
| 5000+ | $0.1868 | $ 934.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CDTR | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.1Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 89W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.2nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3584 | $ 1.7920 |
| 50+ | $0.2877 | $ 14.3850 |
| 150+ | $0.2573 | $ 38.5950 |
| 500+ | $0.2138 | $ 106.9000 |
| 2500+ | $0.1970 | $ 492.5000 |
| 5000+ | $0.1868 | $ 934.0000 |
