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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SVF4N65CAF |
| Código da Peça EBEE | E8467748 |
| Pacote | TO-220F-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 4A 2.3Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
| 1000+ | $0.1983 | $ 198.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.3Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V;4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
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| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
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