| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GBS65041CTOB |
| Código da Peça EBEE | E842374528 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6017 | $ 2.6017 |
| 10+ | $2.2210 | $ 22.2100 |
| 30+ | $1.8561 | $ 55.6830 |
| 90+ | $1.6113 | $ 145.0170 |
| 510+ | $1.5023 | $ 766.1730 |
| 990+ | $1.4533 | $ 1438.7670 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | GOSEMICON GBS65041CTOB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 40mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 450W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 54A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 130nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6017 | $ 2.6017 |
| 10+ | $2.2210 | $ 22.2100 |
| 30+ | $1.8561 | $ 55.6830 |
| 90+ | $1.6113 | $ 145.0170 |
| 510+ | $1.5023 | $ 766.1730 |
| 990+ | $1.4533 | $ 1438.7670 |
