| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GBS032R4PMAR |
| Código da Peça EBEE | E828324646 |
| Pacote | PDFN5x6-8L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | GOSEMICON GBS032R4PMAR | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.5mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 100pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
