| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GBS030R8TLAR |
| Código da Peça EBEE | E828324649 |
| Pacote | TOLL-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 130A 1.25mΩ@10V 83W 2V@250uA TOLL-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5715 | $ 0.5715 |
| 10+ | $0.4607 | $ 4.6070 |
| 30+ | $0.4053 | $ 12.1590 |
| 100+ | $0.3499 | $ 34.9900 |
| 500+ | $0.3167 | $ 158.3500 |
| 1000+ | $0.2993 | $ 299.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | GOSEMICON GBS030R8TLAR | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.25mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 150pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.9nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5715 | $ 0.5715 |
| 10+ | $0.4607 | $ 4.6070 |
| 30+ | $0.4053 | $ 12.1590 |
| 100+ | $0.3499 | $ 34.9900 |
| 500+ | $0.3167 | $ 158.3500 |
| 1000+ | $0.2993 | $ 299.3000 |
