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GOODWORK 4N65
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 4N65 |
| Código da Peça EBEE | E82962211 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 33W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0927 | $ 0.4635 |
| 50+ | $0.0807 | $ 4.0350 |
| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
| 2500+ | $0.0622 | $ 155.5000 |
| 5000+ | $0.0605 | $ 302.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GOODWORK 4N65 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 2.4Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 670pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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| 150+ | $0.0756 | $ 11.3400 |
| 500+ | $0.0692 | $ 34.6000 |
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