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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 30P10 |
| Código da Peça EBEE | E85807886 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 30A 95mΩ@10V,8A 280W 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2637 | $ 0.2637 |
| 10+ | $0.2086 | $ 2.0860 |
| 30+ | $0.1850 | $ 5.5500 |
| 100+ | $0.1556 | $ 15.5600 |
| 500+ | $0.1425 | $ 71.2500 |
| 1000+ | $0.1273 | $ 127.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GOODWORK 30P10 | |
| RoHS | ||
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 95mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 76pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.029nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44.5nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2637 | $ 0.2637 |
| 10+ | $0.2086 | $ 2.0860 |
| 30+ | $0.1850 | $ 5.5500 |
| 100+ | $0.1556 | $ 15.5600 |
| 500+ | $0.1425 | $ 71.2500 |
| 1000+ | $0.1273 | $ 127.3000 |
