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GOODWORK 20N65F
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 20N65F |
| Código da Peça EBEE | E85807888 |
| Pacote | ITO-220F |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 20A 0.35Ω@10V,10A 167W 2V@250uA 1 N-channel ITO-220F MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5783 | $ 0.5783 |
| 10+ | $0.4639 | $ 4.6390 |
| 50+ | $0.3922 | $ 19.6100 |
| 100+ | $0.3350 | $ 33.5000 |
| 500+ | $0.3018 | $ 150.9000 |
| 1000+ | $0.2845 | $ 284.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GOODWORK 20N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.978nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
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