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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 15N10 |
| Código da Peça EBEE | E85807889 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 15A 85mΩ@10V,5A 30W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0886 | $ 0.4430 |
| 50+ | $0.0704 | $ 3.5200 |
| 150+ | $0.0614 | $ 9.2100 |
| 500+ | $0.0545 | $ 27.2500 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0446 | $ 223.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GOODWORK 15N10 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 85mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 765pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0886 | $ 0.4430 |
| 50+ | $0.0704 | $ 3.5200 |
| 150+ | $0.0614 | $ 9.2100 |
| 500+ | $0.0545 | $ 27.2500 |
| 2500+ | $0.0473 | $ 118.2500 |
| 5000+ | $0.0446 | $ 223.0000 |
