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GOODWORK 10N65F
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 10N65F |
| Código da Peça EBEE | E82922157 |
| Pacote | ITO-220AB-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 10A 810mΩ@10V,5A 125W 4V@250uA 1 N-channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GOODWORK 10N65F | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.04nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
