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GL GL4N65FA9
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GL4N65FA9 |
| Código da Peça EBEE | E82999756 |
| Pacote | TO-220F-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 650V 4A 30W 1.9Ω@10V,2A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3366 | $ 0.3366 |
| 10+ | $0.2666 | $ 2.6660 |
| 50+ | $0.2366 | $ 11.8300 |
| 100+ | $0.1992 | $ 19.9200 |
| 500+ | $0.1826 | $ 91.3000 |
| 1000+ | $0.1726 | $ 172.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | GL GL4N65FA9 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.4Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 8.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 544pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14.5nC@10V |
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