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GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GD10MPS12E |
| Código da Peça EBEE | E83758527 |
| Pacote | TO-252-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV 1.8V@10A 29A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 5uA@1200V | |
| Tensão reversa (Vr) | 1.2kV | |
| Tensão de acomproça (Vf-If) | 1.8V@10A | |
| Corrente retificada (Io) | 29A |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6214 | $ 7.6214 |
| 200+ | $2.9501 | $ 590.0200 |
| 500+ | $2.8463 | $ 1423.1500 |
| 1000+ | $2.7952 | $ 2795.2000 |
