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GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G3R20MT17K |
| Código da Peça EBEE | E83281098 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.7kV 124A 26mΩ@15V,75A 809W 2.7V@15mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $147.0086 | $ 147.0086 |
| 30+ | $141.0472 | $ 4231.4160 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.7kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 124A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 26mΩ@15V,75A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 809W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.7V@15mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 10.187nF@1000V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 400nC@15V |
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|---|---|---|
| 1+ | $147.0086 | $ 147.0086 |
| 30+ | $141.0472 | $ 4231.4160 |
