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FUXINSEMI SI01P10
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI01P10 |
| Código da Peça EBEE | E842387314 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | SOT-23 MOSFETs ROHS |
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2580 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0697 | $ 0.3485 |
| 50+ | $0.0560 | $ 2.8000 |
| 150+ | $0.0491 | $ 7.3650 |
| 500+ | $0.0440 | $ 22.0000 |
| 3000+ | $0.0356 | $ 106.8000 |
| 6000+ | $0.0335 | $ 201.0000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | FUXINSEMI SI01P10 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 650mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
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| 50+ | $0.0560 | $ 2.8000 |
| 150+ | $0.0491 | $ 7.3650 |
| 500+ | $0.0440 | $ 22.0000 |
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