| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOU90N02 |
| Código da Peça EBEE | E842412131 |
| Pacote | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1076 | $ 0.5380 |
| 50+ | $0.0850 | $ 4.2500 |
| 150+ | $0.0738 | $ 11.0700 |
| 525+ | $0.0653 | $ 34.2825 |
| 2475+ | $0.0586 | $ 145.0350 |
| 5025+ | $0.0552 | $ 277.3800 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOU90N02 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.8mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 136pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.915nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 410pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1076 | $ 0.5380 |
| 50+ | $0.0850 | $ 4.2500 |
| 150+ | $0.0738 | $ 11.0700 |
| 525+ | $0.0653 | $ 34.2825 |
| 2475+ | $0.0586 | $ 145.0350 |
| 5025+ | $0.0552 | $ 277.3800 |
