| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOU50N06 |
| Código da Peça EBEE | E842412134 |
| Pacote | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1051 | $ 0.5255 |
| 50+ | $0.0826 | $ 4.1300 |
| 150+ | $0.0713 | $ 10.6950 |
| 525+ | $0.0628 | $ 32.9700 |
| 2475+ | $0.0561 | $ 138.8475 |
| 5025+ | $0.0527 | $ 264.8175 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOU50N06 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 11mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1051 | $ 0.5255 |
| 50+ | $0.0826 | $ 4.1300 |
| 150+ | $0.0713 | $ 10.6950 |
| 525+ | $0.0628 | $ 32.9700 |
| 2475+ | $0.0561 | $ 138.8475 |
| 5025+ | $0.0527 | $ 264.8175 |
