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DOINGTER DOD639B
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOD639B |
| Código da Peça EBEE | E842412129 |
| Pacote | TO-252-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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2435 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2581 | $ 1.2905 |
| 50+ | $0.2026 | $ 10.1300 |
| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
| 2500+ | $0.1361 | $ 340.2500 |
| 5000+ | $0.1282 | $ 641.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOD639B | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel + P-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 148pF;225pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A;38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF;3.119nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF;237pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];41nC@10V |
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| 150+ | $0.1789 | $ 26.8350 |
| 500+ | $0.1493 | $ 74.6500 |
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