Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos

DOINGTER DOD629C


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
DOD629C
Código da Peça EBEE
E842412127
Pacote
TO-252-4
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
-
Descrição
TO-252-4 MOSFETs ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>
15 Em Estoque para Envio Rápido
15 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
5+$0.1640$ 0.8200
50+$0.1301$ 6.5050
150+$0.1156$ 17.3400
500+$0.0974$ 48.7000
2500+$0.0893$ 223.2500
5000+$0.0845$ 422.5000
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosDOINGTER DOD629C
RoHS
Tipo de tipoN-Channel + P-Channel
Configuração-
RDS (em inglês)10mΩ@10V;14mΩ@10V
Temperatura de funcionamento --55℃~+150℃
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)131pF;135pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation40W;45W
Drain to Source Voltage40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V;1.6V
Current - Continuous Drain(Id)28A;35A
Ciss-Input Capacitance1.396nF;1.43nF
Output Capacitance(Coss)210pF;150pF
Gate Charge(Qg)25.2nC@10V;[email protected]

Guia de Compras

Expandir