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DOINGTER DOD603


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
DOD603
Código da Peça EBEE
E842412130
Pacote
TO-252-4
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
-
Descrição
TO-252-4 MOSFETs ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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65 Em Estoque para Envio Rápido
65 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
5+$0.1554$ 0.7770
50+$0.1220$ 6.1000
150+$0.1077$ 16.1550
500+$0.0899$ 44.9500
2500+$0.0819$ 204.7500
5000+$0.0772$ 386.0000
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosDOINGTER DOD603
RoHS
Tipo de tipoN-Channel + P-Channel
Configuração-
RDS (em inglês)26mΩ@10V;80mΩ@10V
Temperatura de funcionamento --55℃~+150℃
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)45pF;75pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation23W;23W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V;1.5V
Current - Continuous Drain(Id)16A;18A
Ciss-Input Capacitance1.1nF;1.6nF
Output Capacitance(Coss)52pF;90pF
Gate Charge(Qg)20.3nC@10V;37.6nC@10V

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