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DOINGTER DOD30100
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOD30100 |
| Código da Peça EBEE | E842374607 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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2400 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0965 | $ 0.4825 |
| 50+ | $0.0763 | $ 3.8150 |
| 150+ | $0.0662 | $ 9.9300 |
| 500+ | $0.0586 | $ 29.3000 |
| 2500+ | $0.0526 | $ 131.5000 |
| 5000+ | $0.0495 | $ 247.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOD30100 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 4mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 177pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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