| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOD20P06 |
| Código da Peça EBEE | E841416030 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 20A 68mΩ@10V,9A 50W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0785 | $ 0.3925 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0639 | $ 9.5850 |
| 500+ | $0.0603 | $ 30.1500 |
| 2500+ | $0.0559 | $ 139.7500 |
| 5000+ | $0.0545 | $ 272.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOD20P06 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 68mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 560pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.961nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82.32nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0785 | $ 0.3925 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0639 | $ 9.5850 |
| 500+ | $0.0603 | $ 30.1500 |
| 2500+ | $0.0559 | $ 139.7500 |
| 5000+ | $0.0545 | $ 272.5000 |
