| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DOD100N04 |
| Código da Peça EBEE | E842374600 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1422 | $ 0.7110 |
| 50+ | $0.1134 | $ 5.6700 |
| 150+ | $0.0990 | $ 14.8500 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0778 | $ 194.5000 |
| 5000+ | $0.0734 | $ 367.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DOD100N04 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 5.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 223pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 142W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.777nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 266pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1422 | $ 0.7110 |
| 50+ | $0.1134 | $ 5.6700 |
| 150+ | $0.0990 | $ 14.8500 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0778 | $ 194.5000 |
| 5000+ | $0.0734 | $ 367.0000 |
