| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DO2310DA |
| Código da Peça EBEE | E841367399 |
| Pacote | SOT-23-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 3.2A 1.7W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0162 | $ 0.3240 |
| 200+ | $0.0141 | $ 2.8200 |
| 600+ | $0.0130 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 9000+ | $0.0112 | $ 100.8000 |
| 21000+ | $0.0109 | $ 228.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DOINGTER DO2310DA | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 100mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 325pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.1nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0162 | $ 0.3240 |
| 200+ | $0.0141 | $ 2.8200 |
| 600+ | $0.0130 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 9000+ | $0.0112 | $ 100.8000 |
| 21000+ | $0.0109 | $ 228.9000 |
