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DIYI Elec Tech DMD2N65-TR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DMD2N65-TR |
| Código da Peça EBEE | E82929663 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | 650V 2A 34W 4.4Ω@10V,1A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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1310 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 50+ | $0.0946 | $ 4.7300 |
| 150+ | $0.0931 | $ 13.9650 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | DIYI Elec Tech DMD2N65-TR | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 4.4Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 45pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.7nC |
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