| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DI008N09SQ |
| Código da Peça EBEE | E86601686 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 90V 8A 75mΩ@10V,5A 2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | (DIOTEC) DI008N09SQ | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 90V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 75mΩ@10V,5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 2W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 40pF@15V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.1nF@15V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
