| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BIDW50N65T |
| Código da Peça EBEE | E817512645 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 416W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | FS(Field Stop) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 100A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 416W | |
| Vira-te? fora Tempo de atraso (Td(off)) | 125ns | |
| Vira-te? em Tempo de Atraso (Td(on)) | 37ns | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 2.2V@15V,50A | |
| Carga total do portão (Qg-Ic, Vge) | 123nC | |
| Tempo de Recuperação Reverso de Diodos (Trr) | 37.5ns | |
| Vira-te? Desligar a perda (Eoff) | 1.1mJ | |
| Vira-te? em Switching Loss (Eon) | 3mJ |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1275 | $ 5.1275 |
| 210+ | $2.0463 | $ 429.7230 |
| 510+ | $1.9787 | $ 1009.1370 |
| 990+ | $1.9441 | $ 1924.6590 |
