| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | BLP065N08G-D |
| Código da Peça EBEE | E83031694 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | 85V 80A 156.2W 6.5mΩ@10V,50A 4V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4572 | $ 0.4572 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3320 | $ 9.9600 |
| 100+ | $0.2897 | $ 28.9700 |
| 500+ | $0.2173 | $ 108.6500 |
| 1000+ | $0.2052 | $ 205.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 6.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 11.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 156.2W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.219nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 490pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61.2nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4572 | $ 0.4572 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3320 | $ 9.9600 |
| 100+ | $0.2897 | $ 28.9700 |
| 500+ | $0.2173 | $ 108.6500 |
| 1000+ | $0.2052 | $ 205.2000 |
