| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AUN084N10 |
| Código da Peça EBEE | E85440026 |
| Pacote | DFN-8(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 68A 66W 8.4mΩ 2V DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4704 | $ 0.4704 |
| 10+ | $0.3961 | $ 3.9610 |
| 30+ | $0.3590 | $ 10.7700 |
| 100+ | $0.3296 | $ 32.9600 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
| 1000+ | $0.2894 | $ 289.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | ANHI AUN084N10 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 8.4mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.93nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41.7nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4704 | $ 0.4704 |
| 10+ | $0.3961 | $ 3.9610 |
| 30+ | $0.3590 | $ 10.7700 |
| 100+ | $0.3296 | $ 32.9600 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
| 1000+ | $0.2894 | $ 289.4000 |
