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ANHI ASW65R110E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ASW65R110E |
| Código da Peça EBEE | E85440019 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 655V 30A 277.8W 110mΩ 4.2V@250uA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | ANHI ASW65R110E | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 110mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+100℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6.75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277.8W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.497nF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
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