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ANHI ASU65R1K4E
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ASU65R1K4E |
| Código da Peça EBEE | E819192892 |
| Pacote | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 655V 4A 28W 1.24Ω 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | ANHI ASU65R1K4E | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.4Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 238pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.76nC |
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