| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AOTF10B65M2 |
| Código da Peça EBEE | E817541271 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30W 20A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | - | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 30W | |
| Vira-te? fora Tempo de atraso (Td(off)) | 91ns | |
| Vira-te? em Tempo de Atraso (Td(on)) | 12ns | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 2V@15V,10A | |
| Carga total do portão (Qg-Ic, Vge) | 24nC | |
| Tempo de Recuperação Reverso de Diodos (Trr) | 262ns |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
