| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AGM628MAP |
| Código da Peça EBEE | E822364308 |
| Pacote | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 60V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 25A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 35W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
