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AGM-Semi AGM12N10AP
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AGM12N10AP |
| Código da Peça EBEE | E817701055 |
| Pacote | PDFN3.3x3.3-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 55A 9.3mΩ@10V,20A 83W 1.8V@250uA 1 N-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3234 | $ 1.6170 |
| 50+ | $0.2535 | $ 12.6750 |
| 150+ | $0.2236 | $ 33.5400 |
| 500+ | $0.1862 | $ 93.1000 |
| 2500+ | $0.1597 | $ 399.2500 |
| 5000+ | $0.1497 | $ 748.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | AGM-Semi AGM12N10AP | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 9.3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
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